Tšehhi (čeština) inglise Saksamaa (Deutsch) Austria (Deutsch) Šveits (Deutsch) Slovakkia (slovenčina) Ungari (magyar) Rumeenia (Română) Prantsusmaa (français) Itaalia (italiano) Poola (polski) Eesti (eesti keel) Venemaa (pусский) Hispaania (español) Sloveenia (slovenščina) Horvaatia (hrvatski) Bulgaaria (български)
Teil ei ole tooteid oma ostukorvi

DIM1200ESM33-MH00

Fast IGBT Module 3300V/1200A Single Fast SiC Diodes

!_prilohy_!:
Kliki pildil
DIM1200ESM33-MH00 Dynex Semiconductor
DIM1200ESM33-MH00 Dynex Semiconductor
Ei ole enam laos
ID Code:185397
Tootja:Dynex Semiconductor
Hind: soovi korral
VAT:21 %
Kättesaadavus:soovi korral
Kokku varud:0 tk
Tootja märgistus: DIM1200ESM33-MH00
Keskne lao Zdice: 0 tk
Välismälu (tarneaeg 5÷10 päeva): 0 tk
Üksus:: tk
!_prehled mnozstevnich slev_!
KogusHind km-taHind km-ga
This uses our latest technology trench IGBT, optimised for fast switching, and a SiC diode.
Some of the system-level benefits are improved efficiency, reduced volume/ size and weight. New inverter/converter topologies can also be realised with these devices. SiC devices (MOSFETs, Schottky diodes) are still expensive and hybrid Si/Sic module strikes a perfect balance between performance and cost. The SiC Schottky almost completely eliminates the reverse recovery loss. As a result the Erec loss is minuscule in hybrid module. ln addition, for applications such as PWM
inverters that have a hard switched turn-on there is also a significant reduction in turn-on losses due the dramatic reduction in free wheel diode recovery current.

Põhilised andmed:

Tootja märgistusDIM1200ESM33-MH00 
Type of casing:MODUL 
Juhtum:MODUL - E 
KategorieIGBT Hybrid SiC 
Konfiguratsioon:!_singl-e 3*(t+d)_! 
Materjali tüüp:!_sic hybrid_! 
Material BaseALSiC 
RoHSJah 
REACHEi 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Pakendite ja kaal:

Üksus:tk 
Kaal:1400 [g]
Väike pakk (ühikute arv):

Elektrofüüsikalised parameetrid:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1200 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.9 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)17900  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)360 [ns]
tf (turn-off=fall time)290 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.001 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)13000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance140000 pF

Thermal ja mehaanilise parameetrid:

Tmin (minimaalne töötemperatuur)-40 [°C]
Tmax (maksimaalne töötemperatuur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.007 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.03 [°C/W]
PIN dimensiooni0.00 [mm]

Teie päring DIM1200ESM33-MH00

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Teie päring:*
Palun kirjutada kood:* antispam
     Lisateabe saamiseks

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Palun kirjutada kood pilt antispam
Copyright © www.semic.ee by Shop5.cz

© www.semic.ee

Teenuste osutamisega aidata meil küpsiseid. Meie teenuseid kasutades nõustud meie küpsiste kasutamine.   Lisateabe saamiseks