IXFN60N80P
800V Power MOSFET
| ID Code: | 181387 |
| Tootja: | Ixys |
| Hind km-ga : | 46,0594 € |
| Hind km-ta : | 38,0656 € |
| VAT: | 21 % |
| Kättesaadavus: | soovi korral |
| Kokku varud: | 0 tk |
| Tootja märgistus: | IXFN60N80P |
| Keskne lao Zdice: | 0 tk |
| Välismälu (tarneaeg 5÷10 päeva): | 0 tk |
| Üksus:: | tk |
| !_prehled mnozstevnich slev_! | Kogus | Hind km-ta | Hind km-ga |
| 1 + | 38,0656 € | 46,0594 € |
| 5 + | 34,2591 € | 41,4535 € |
800V Power MOSFET
Põhilised andmed:
| Tootja märgistus | IXFN60N80P |
| Type of casing: | MODUL |
| Juhtum: | SOT-227 |
| Kategorie | FET N-Channel |
| Osa tüübi: | !_n-mosfet_! |
| Konfiguratsioon: | !_single 1*(t+d)_! |
| RoHS | Jah |
| REACH | Ei |
| NOVINKA | A |
Elektrilised parameetrid:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 800 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 53 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 53 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 1040 [W] |
| Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
| Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 140 [mΩ] |
| trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 250 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 250 [nC] |
Materjal, värv, disain:
| Materjali tüüp: | !_si-silicon_! |
Thermal ja mehaanilise parameetrid:
| Tmin (minimaalne töötemperatuur) | -55 [°C] |
| Tmax (maksimaalne töötemperatuur) | 150 [°C] |
| Rthjc (case) | 0.12 [°C/W] |
Mõõdud:
| PIN dimensiooni | 0.00 [mm] |
Pakendite ja kaal:
| Üksus: | tk |
| Kaal: | 0.09 [g] |
| Pakend: | 10 |
Copyright © www.semic.ee by
Shop5.cz