Tšehhi (čeština) inglise Saksamaa (Deutsch) Austria (Deutsch) Šveits (Deutsch) Slovakkia (slovenčina) Ungari (magyar) Rumeenia (Română) Prantsusmaa (français) Itaalia (italiano) Poola (polski) Eesti (eesti keel) Venemaa (pусский) Hispaania (español) Sloveenia (slovenščina) Horvaatia (hrvatski) Bulgaaria (български)
Teil ei ole tooteid oma ostukorvi

ACR2900VR45

Bypass Thyristor 4500V/2900A for the protection of IGBT modules in VSC multi-level applications

!_prilohy_!:
Kliki pildil
ACR2900VR45 Dynex Semiconductor
ACR2900VR45 Dynex Semiconductor
tk
ID Code:183763
Tootja:Dynex Semiconductor
Hind km-ga : 921,1886 €
Hind km-ta : 761,3129 €
VAT:21 %
Kättesaadavus:soovi korral
Kokku varud:0 tk
Tootja märgistus: ACR2900VR45
Keskne lao Zdice: 0 tk
Välismälu (tarneaeg 5÷10 päeva): 0 tk
Üksus:: tk
!_prehled mnozstevnich slev_!
KogusHind km-taHind km-ga
1 + 761,3129 €921,1886 €
6 + 742,2801 €898,1589 €
The Dynex Bypass Thyristor range of devices is specially designed for the protection of IGBT modules in Voltage Source Converter multi-level applications, where a reduced forward blocking voltage is required. Very Low Cosmic Ray FIT Rating, High Surge Capability, High dv/dt Rating
The primary characteristic of the bypass thyristor which determines current diversion from the IGBT diode is dynamic on-state voltage, with overall turn-on time a secondary influence. Highly optimised, Low FIT, low Vt, 3.3kV and 4.5kV bypass thyristor devices have been produced for VSC protection.
Voltage Source Converter (VSC) technology provides a number of advantages over traditional (LCC) HVDC including self-commutation, small footprint, and black start capability and is becoming increasingly popular in applications such as offshore wind.With higher voltage systems, where the current handling capability of the IGBT diode is reduced, effective current diversion becomes essential.

Põhilised andmed:

Tootja märgistusACR2900VR45 
Type of casing:!_puk_! 
Juhtum:!_puk110/73x27t_! 
KategorieTrisil-Overvoltage Protection 
Osa tüübi:TRISIL 
Konfiguratsioon:1xTüristor 
RoHSJah 
REACHEi 
NOVINKA

Elektrilised parameetrid:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 4500 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)2900 [A]
Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)2900 [A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)10000 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)400 [A/µs]
I2t (TC/TA=25°C)7600 [1000*A2s]
tf (turn-off=fall time)3000 [ns]

Materjal, värv, disain:

Materjali tüüp:!_si-silicon_! 

Thermal ja mehaanilise parameetrid:

Tmin (minimaalne töötemperatuur)-40 [°C]
Tmax (maksimaalne töötemperatuur)125 [°C]
Rthjc (case)0.00746 [°C/W]
Fmin:48000 [N]
Fmax:59000 [N]

Mõõdud:

PIN dimensiooni0.00 [mm]

Pakendite ja kaal:

Üksus:tk 
Kaal:1100 [g]
Pakend:

!_souvisejici zbozi_! - ACR2900VR45

H.CD01/102/28kN/L180 H.CD01/102/28kN/L180   Clamps 28kN, Axial Length L1=102mm, Length L=180mm
ID: 107043   Märgise tootja: CD01/102/28kN/L180  
soovi korral
Tootja: PADA engineering  
Kõik hinnad on toodud ilma Käibemaksuta ja ei sisalda postikulud, mis lisatakse tellimusele eraldi kirjena.

Teie päring ACR2900VR45

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Teie päring:*
Palun kirjutada kood:* antispam
     Lisateabe saamiseks

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Palun kirjutada kood pilt antispam
Copyright © www.semic.ee by Shop5.cz

© www.semic.ee

Teenuste osutamisega aidata meil küpsiseid. Meie teenuseid kasutades nõustud meie küpsiste kasutamine.   Lisateabe saamiseks