MSC017SMA120J

1200V Mosfet SiC, 88A / SOT-227

!_prilohy_!:

Kliki pildil

MSC017SMA120J_Ms.pdf

SiC_Brochure_Ms.pdf

Power Management_MCH.pdf

ID Code:	186320
Tootja:	Microchip Technology
Hind km-ga :	75,5338 €
Hind km-ta :	62,4246 €
VAT:	21 %
Kättesaadavus:	soovi korral
Kokku varud:	0 tk
Tootja märgistus:	MSC017SMA120J
Keskne lao Zdice:	0 tk
Välismälu (tarneaeg 5÷10 päeva):	0 tk
Üksus::	tk

!_prehled mnozstevnich slev_!
Kogus	Hind km-ta		Hind km-ga
1 +		62,4246 €		75,5338 €
5 +		59,8246 €		72,3877 €
10 +		57,2233 €		69,2402 €
25 +		54,6225 €		66,0932 €

1200V Mosfet SiC, 88A / SOT-227

Põhilised andmed:

Tootja märgistus	MSC017SMA120J
Kategorie	Full SiC (MOS-BD)
Osa tüübi:	SiC MOSFET-BD
Konfiguratsioon:	single 1*(T-BD)
Spetsifikatsioon:	!_sic n-channel mosfet_!
Ehitus:	1*FET-BD
Materjali tüüp:	!_sic full_!
RoHS	Jah
REACH	Ei
Type of casing:	MODUL
Juhtum:	SOT-227
NOVINKA	A
RoHS1	Ano

Pakendite ja kaal:

Üksus:	tk
Kaal:	33 [g]
Pakendi liik:	TUBE
Väike pakk (ühikute arv):	10

Elektrofüüsikalised parameetrid:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	1200 [V]
I_{dc max} (Tc/Ta=25°C)	88 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=100÷109°C)	62 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)	278 [W]
Input Logic Level (Ugs level)	20V
Rds(on) 10V (Ugs=10V)	22 [mΩ]
t_rr recovery time (If=Inom.,@25°C)	40 [ns]
Q_g (Total Gate Charge)	249 [nC]
Cin/CL Load Capacitance	5280 pF

Thermal ja mehaanilise parameetrid:

T_min (minimaalne töötemperatuur)	-55 [°C]
T_max (maksimaalne töötemperatuur)	175 [°C]
Rthjc (case)	0.27 [°C/W]
Rthjc1 IGBT	0.36 [°C/W]
RM - Pigi pins	15 [mm]
RM1 - Ridade vahe	12.7 [mm]
Number of Pins	3
D - Väline läbimõõt	4.1 [mm]
W - Laius	25.3 [mm]
L - Pikkus	38.1 [mm]
H - Kõrgus	12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)	38x25x12 [mm]

Alternatiivid ja asendused

Alternatiiv 1:

183085 - DACMI160N1200 (DAC)

!_souvisejici zbozi_! - MSC017SMA120J

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL Thermally Conductive Pad for insulated Packages SOT-227, ISOTOP and in size 25,4x38,1 mm
ID: 181709 Märgise tootja: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni