Tšehhi (čeština) inglise Saksamaa (Deutsch) Austria (Deutsch) Šveits (Deutsch) Slovakkia (slovenčina) Ungari (magyar) Rumeenia (Română) Prantsusmaa (français) Itaalia (italiano) Poola (polski) Eesti (eesti keel) Venemaa (pусский) Hispaania (español) Sloveenia (slovenščina) Horvaatia (hrvatski) Bulgaaria (български)
Teil ei ole tooteid oma ostukorvi

MSCSM120AM042CD3AG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode

tk
ID Code:185289
Tootja:Microsemi / Microchip Technology
Hind km-ga : 1 107,6377 €
Hind km-ta : 915,4031 €
VAT:21 %
Kättesaadavus:soovi korral
Kokku varud:0 tk
Tootja märgistus: MSCSM120AM042CD3AG
Üksus:: tk
!_prehled mnozstevnich slev_!
KogusHind km-taHind km-ga
1 + 915,4031 €1 107,6377 €
3 + 823,8701 €996,8829 €
MOSFET 1200V Full SiC Low Stray Inductance Phase Leg SiC The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. Silicon carbide (SiC) Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature-independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Kelvin source for easy drive
. Low stray inductance
. M6 power connectors
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance

Põhilised andmed:

Tootja märgistusMSCSM120AM042CD3AG 
Type of casing:MODUL 
Juhtum:SEMITRANS-3 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Osa tüübi:!_n-mosfet_! 
Konfiguratsioon:!_half bridge_! 
Materjali tüüp:!_sic full_! 
Material BaseCu 
RoHSJah 
REACHJah 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Pakendite ja kaal:

Üksus:tk 
Kaal:350 [g]
Väike pakk (ühikute arv):

Elektrofüüsikalised parameetrid:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)495 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)495 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)395 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)12 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)2031  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)5.2 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.06 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)1392 [nC]
Cin/CL Load Capacitance18100 pF

Thermal ja mehaanilise parameetrid:

Tmin (minimaalne töötemperatuur)-40 [°C]
Tmax (maksimaalne töötemperatuur)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.074 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.175 [°C/W]
PIN dimensiooni0.00 [mm]

Alternatiivid ja asendused

Alternatiiv 1:CAS300M12BM2 
Alternatiiv 2:SKM350MB120SCH17 
Alternatiivsed tooted 1:MD400HFR120C2S 
Alternatiivsed tooted 2:FF3MR12KM1 

!_souvisejici zbozi_! - MSCSM120AM042CD3AG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Märgise tootja: F05-AL2-62x106mm  
Kogus [tk]1+10+
EUR/tk1,66021,5864
Kokku varud: 914
Tootja: -  
RoHS
Kõik hinnad on toodud ilma Käibemaksuta ja ei sisalda postikulud, mis lisatakse tellimusele eraldi kirjena.

Teie päring MSCSM120AM042CD3AG

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Teie päring:*
Palun kirjutada kood:* antispam
     Lisateabe saamiseks

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Palun kirjutada kood pilt antispam
Copyright © www.semic.ee by Shop5.cz

© www.semic.ee

Teenuste osutamisega aidata meil küpsiseid. Meie teenuseid kasutades nõustud meie küpsiste kasutamine.   Lisateabe saamiseks